କ’ଣ?ଲିଡ୍ ଚିପ୍ |? ତେବେ ଏହାର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ କ’ଣ? ଏଲଇଡି ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନ ମୁଖ୍ୟତ effective ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ନିମ୍ନ ଓହମିକ୍ କଣ୍ଟାକ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା, ଯୋଗାଯୋଗ ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟରେ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଛୋଟ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ ପୂରଣ କରିବା, ତାରକୁ ୱେଲ୍ଡିଂ ପାଇଁ ପ୍ରେସର ପ୍ୟାଡ୍ ଯୋଗାଇବା ଏବଂ ଯଥାସମ୍ଭବ ଆଲୋକ ନିର୍ଗତ କରିବା | ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର ପରିବର୍ତ୍ତନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ v ଶୂନ୍ୟ ବାଷ୍ପୀକରଣ ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରେ | 4pa ଉଚ୍ଚ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନରେ, ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରତିରୋଧ ଗରମ କିମ୍ବା ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ବିମ୍ ବୋମା ବିସ୍ଫୋରଣ ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ ଦ୍ୱାରା ତରଳାଯାଏ, ଏବଂ bZX79C18 ଧାତୁ ବାଷ୍ପରେ ପରିଣତ ହୁଏ ଏବଂ ନିମ୍ନ ଚାପରେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପଦାର୍ଥ ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୁଏ |

ସାଧାରଣତ ,, ବ୍ୟବହୃତ p- ପ୍ରକାର ଯୋଗାଯୋଗ ଧାତୁରେ ଆୟୁବ୍, ଆଜ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ମିଶ୍ରଣ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ, ଏବଂ n- ପାର୍ଶ୍ୱ କଣ୍ଟାକ୍ଟ ଧାତୁ ପ୍ରାୟତ A AuGeNi ମିଶ୍ରଣକୁ ଗ୍ରହଣ କରେ | ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡର ଯୋଗାଯୋଗ ସ୍ତର ଏବଂ ଉନ୍ମୋଚିତ ଆଲୋଇ ସ୍ତର ଲିଥୋଗ୍ରାଫି ପ୍ରକ୍ରିୟାର ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ଫଳପ୍ରଦ ଭାବରେ ପୂରଣ କରିପାରିବ | ଫୋଟୋଲିଥୋଗ୍ରାଫି ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରେ, ଏହା ମଧ୍ୟ ମିଶ୍ରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ହୋଇଥାଏ, ଯାହା ସାଧାରଣତ H H2 କିମ୍ବା N2 ର ସୁରକ୍ଷା ଅଧୀନରେ କରାଯାଏ | ମିଶ୍ରିତ ସମୟ ଏବଂ ତାପମାତ୍ରା ସାଧାରଣତ sem ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ ଆଲୁଅ ଫର୍ଣ୍ଣେସର ଆକାର ଅନୁଯାୟୀ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ | ଅବଶ୍ୟ, ଯଦି ନୀଳ ଏବଂ ସବୁଜ ପରି ଚିପ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅଧିକ ଜଟିଳ, ପାସିଭ୍ ଫିଲ୍ମ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ଏବଂ ପ୍ଲାଜମା ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯୋଡିବା ଆବଶ୍ୟକ |

ଏଲଇଡି ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଏହାର ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉପରେ କେଉଁ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ?

ସାଧାରଣତ speaking କହିବାକୁ ଗଲେ, ସମାପ୍ତ ହେବା ପରେ |ଏଲଇଡି ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଉତ୍ପାଦନ |, ଏହାର ମୁଖ୍ୟ ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣଗୁଡିକ ଚୂଡାନ୍ତ ହୋଇଛି, ଏବଂ ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଏହାର ଆଣବିକ ପ୍ରକୃତିର ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବ ନାହିଁ, କିନ୍ତୁ ଆବରଣ ଏବଂ ମିଶ୍ରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅନୁପଯୁକ୍ତ ଅବସ୍ଥା କିଛି ପ୍ରତିକୂଳ ବ electrical ଦୁତିକ ପାରାମିଟର ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ନିମ୍ନ କିମ୍ବା ଉଚ୍ଚ ଆଲୋଇଙ୍ଗ୍ ତାପମାତ୍ରା ଖରାପ ଓହମିକ୍ ଯୋଗାଯୋଗ ସୃଷ୍ଟି କରିବ, ଯାହା ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ଉଚ୍ଚ ଫରୱାର୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ ଡ୍ରପ୍ VF ର ମୁଖ୍ୟ କାରଣ | କାଟିବା ପରେ, ଯଦି କିଛି କ୍ଷୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଚିପ୍ ଧାରରେ କରାଯାଏ, ତେବେ ଚିପ୍ ର ଓଲଟା ଲିକେଜ୍ ଉନ୍ନତ କରିବାରେ ଏହା ସହାୟକ ହେବ | ଏହାର କାରଣ ହେଉଛି ଏକ ହୀରା ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଚକ ବ୍ଲେଡ୍ ସହିତ କାଟିବା ପରେ ଅଧିକ ଆବର୍ଜନା ଏବଂ ପାଉଡର ଚିପ୍ ଧାରରେ ରହିବ | ଯଦି ଏଗୁଡ଼ିକ ଏଲଇଡି ଚିପ୍ ର PN ଜଙ୍କସନରେ ଅଟକି ରହିଲେ, ସେମାନେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଲିକେଜ୍ ଏବଂ ଏପରିକି ଭାଙ୍ଗିଯିବେ | ଏଥିସହ, ଯଦି ଚିପ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ଫୋଟୋରେଷ୍ଟ୍ ସଫା ହୋଇନଥାଏ, ତେବେ ଏହା ସାମ୍ନା ୱେଲଡିଂ ଏବଂ ମିଥ୍ୟା ୱେଲଡିଂରେ ଅସୁବିଧା ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ଯଦି ଏହା ପଛରେ ଅଛି, ଏହା ମଧ୍ୟ ଉଚ୍ଚ ଚାପ ହ୍ରାସ କରିବ | ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଆଲୋକର ତୀବ୍ରତାକୁ ଭୂପୃଷ୍ଠକୁ ଏକତ୍ର କରି ଏହାକୁ ଓଲଟା ଟ୍ରାପେଜଏଡାଲ୍ ଗଠନରେ ବିଭକ୍ତ କରି ଉନ୍ନତ କରାଯାଇପାରିବ |

କାହିଁକି ଏଲଇଡି ଚିପ୍ସକୁ ବିଭିନ୍ନ ଆକାରରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯିବା ଉଚିତ୍? ଏଲଇଡିର ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉପରେ ଆକାରର ପ୍ରଭାବ କ’ଣ?

ଏଲଇଡି ଚିପ ଆକାରକୁ ଶକ୍ତି ଅନୁସାରେ ନିମ୍ନ-ପାୱାର ଚିପ, ମଧ୍ୟମ ପାୱାର ଚିପ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଚିପରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ଗ୍ରାହକଙ୍କ ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ଏହାକୁ ଏକକ ଟ୍ୟୁବ୍ ସ୍ତର, ଡିଜିଟାଲ୍ ସ୍ତର, ଡଟ୍ ମ୍ୟାଟ୍ରିକ୍ସ ସ୍ତର ଏବଂ ସାଜସଜ୍ଜା ଆଲୋକରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ | ଚିପ୍ ର ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆକାର ପାଇଁ, ଏହା ବିଭିନ୍ନ ଚିପ୍ ଉତ୍ପାଦକଙ୍କ ପ୍ରକୃତ ଉତ୍ପାଦନ ସ୍ତର ଅନୁଯାୟୀ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରାଯାଏ, ଏବଂ କ specific ଣସି ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଆବଶ୍ୟକତା ନାହିଁ | ଯେପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅତିକ୍ରମ କରେ, ଚିପ୍ ୟୁନିଟ୍ ଆଉଟପୁଟ୍କୁ ଉନ୍ନତ କରିପାରିବ ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ, ଏବଂ ଫଟୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ମୂଳତ change ପରିବର୍ତ୍ତନ ହେବ ନାହିଁ | ଚିପ୍ ର ବ୍ୟବହାର କରେଣ୍ଟ ପ୍ରକୃତରେ ଚିପ୍ ଦେଇ ପ୍ରବାହିତ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଘନତା ସହିତ ଜଡିତ | ଯେତେବେଳେ ଚିପ୍ ଛୋଟ, ବ୍ୟବହାର କରେଣ୍ଟ ଛୋଟ, ଏବଂ ଯେତେବେଳେ ଚିପ୍ ବଡ଼ ହୁଏ, ବ୍ୟବହାର କରେଣ୍ଟ ବଡ଼ ହୋଇଥାଏ | ସେମାନଙ୍କର ୟୁନିଟ୍ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଘନତା ମୂଳତ the ସମାନ | ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟରେ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ ସମସ୍ୟା ବୋଲି ବିଚାରକୁ ନେଇ, ଏହାର ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ଦକ୍ଷତା ନିମ୍ନ କରେଣ୍ଟ ତୁଳନାରେ କମ୍ ଅଟେ | ଅନ୍ୟ ପଟେ, କ୍ଷେତ୍ର ବ increases ଼ିବା ସହିତ ଚିପ୍‌ର ଶରୀରର ପ୍ରତିରୋଧକତା ହ୍ରାସ ପାଇବ, ତେଣୁ ଭୋଲଟେଜରେ ଫରୱାର୍ଡ କମିଯିବ |

ଏଲଇଡି ହାଇ ପାୱାର୍ ଚିପ୍ ର କ୍ଷେତ୍ର କ’ଣ? କାହିଁକି?

ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଚିପ୍ସଧଳା ଆଲୋକ ସାଧାରଣତ the ବଜାରରେ ପ୍ରାୟ 40 ମିଲ୍ | ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଚିପ୍ସର ତଥାକଥିତ ବ୍ୟବହାର ଶକ୍ତି ସାଧାରଣତ 1 1W ରୁ ଅଧିକ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଶକ୍ତିକୁ ସୂଚିତ କରେ | ଯେହେତୁ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଦକ୍ଷତା ସାଧାରଣତ 20 20% ରୁ କମ୍, ଅଧିକାଂଶ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଶକ୍ତି ଉତ୍ତାପ ଶକ୍ତିରେ ରୂପାନ୍ତରିତ ହେବ, ତେଣୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଚିପ୍ ର ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ, ଏବଂ ଏକ ବଡ଼ କ୍ଷେତ୍ର ପାଇଁ ଚିପ୍ ଆବଶ୍ୟକ |

ଫାଙ୍କା, GaA ଏବଂ InGaAlP ତୁଳନାରେ GaN ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଚିପ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଉପକରଣର ବିଭିନ୍ନ ଆବଶ୍ୟକତା କ’ଣ? କାହିଁକି?

ସାଧାରଣ ଏଲଇଡି ଲାଲ ଏବଂ ହଳଦିଆ ଚିପ୍ସର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଏବଂ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ କ୍ୱାଡ୍ ଲାଲ୍ ଏବଂ ହଳଦିଆ ଚିପ୍ସ ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀରେ ତିଆରି ହୋଇଛି ଯେପରିକି ଫାଙ୍କା ଏବଂ GaA, ଯାହା ସାଧାରଣତ n n- ପ୍ରକାରର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟରେ ତିଆରି କରାଯାଇପାରେ | ଓଦା ପ୍ରକ୍ରିୟା ଲିଥୋଗ୍ରାଫି ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ଏବଂ ତା’ପରେ ଚିପ କାଟିବା ପାଇଁ ହୀରା ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଚକ ବ୍ଲେଡ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | GaN ସାମଗ୍ରୀର ନୀଳ-ସବୁଜ ଚିପ୍ ହେଉଛି ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ | ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଇନସୁଲେଟ୍ ହୋଇଥିବାରୁ ଏହାକୁ ଏଲଇଡିର ଗୋଟିଏ ପୋଲ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ | ଶୁଖିଲା ଇଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ କିଛି ପାସିଭେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପୃଷ୍ଠରେ p / N ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ତିଆରି କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ନୀଳମଣି ଅତ୍ୟନ୍ତ କଠିନ, ହୀରା ଗ୍ରାଇଣ୍ଡିଂ ଚକ ବ୍ଲେଡ୍ ସହିତ ଚିପ୍ସ ଟାଣିବା କଷ୍ଟକର | ଏହାର ବ techn ଷୟିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସାଧାରଣତ gap ଫାଙ୍କା ଏବଂ GaA ସାମଗ୍ରୀରେ ନିର୍ମିତ ଏଲଇଡି ଅପେକ୍ଷା ଅଧିକ ଏବଂ ଜଟିଳ |

“ସ୍ୱଚ୍ଛ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍” ଚିପ୍ ର ଗଠନ ଏବଂ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ କ’ଣ?

ତଥାକଥିତ ସ୍ୱଚ୍ଛ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଏବଂ ସ୍ୱଚ୍ଛ ହେବା ଉଚିତ୍ | ଏହି ପଦାର୍ଥ ବର୍ତ୍ତମାନ ତରଳ ସ୍ଫଟିକ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି | ଏହାର ନାମ ଇଣ୍ଡିଆମ୍ ଟିନ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍, ଯାହାକୁ ITO ଭାବରେ ସଂକ୍ଷିପ୍ତ କରାଯାଇଛି, କିନ୍ତୁ ଏହାକୁ ଏକ ସୋଲ୍ଡର୍ ପ୍ୟାଡ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ | ତିଆରି ସମୟରେ, ଚିପ ପୃଷ୍ଠରେ ଓହମିକ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ତିଆରି ହେବ, ତା’ପରେ ITO ର ଏକ ସ୍ତର ଭୂପୃଷ୍ଠରେ ଆଚ୍ଛାଦିତ ହେବ, ଏବଂ ତା’ପରେ ITO ପୃଷ୍ଠରେ ୱେଲଡିଂ ପ୍ୟାଡର ଏକ ସ୍ତର ଲଗାଯିବ | ଏହିପରି, ସୀସା ଠାରୁ କରେଣ୍ଟ ITO ସ୍ତର ମାଧ୍ୟମରେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଓହମିକ୍ କଣ୍ଟାକ୍ଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍କୁ ସମାନ ଭାବରେ ବଣ୍ଟନ ହୁଏ | ସେହି ସମୟରେ, ITO ର ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ ବାୟୁ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପଦାର୍ଥର ପ୍ରତୀକାତ୍ମକ ସୂଚକାଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ଥିବାରୁ ଆଲୋକ କୋଣକୁ ଉନ୍ନତ କରାଯାଇପାରିବ ଏବଂ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ଫ୍ଲକ୍ସକୁ ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇପାରିବ |

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଆଲୋକ ପାଇଁ ଚିପ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ କ’ଣ?

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏଲଇଡି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ବିକାଶ ସହିତ ଆଲୋକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ପ୍ରୟୋଗ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ, ବିଶେଷକରି ଧଳା ଏଲଇଡିର ଉତ୍ପତ୍ତି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଆଲୋକର ଏକ ହଟ ସ୍ଥାନ ପାଲଟିଛି | ତଥାପି, କି ଚିପ୍ ଏବଂ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ଉନ୍ନତି ଆଣିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଚିପ୍ ଦୃଷ୍ଟିରୁ, ଆମେ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ଉଚିତ୍ | ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଚିପ୍ ର ବ୍ୟବହାର କରେଣ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି | ଅଧିକ ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ଉପାୟ ହେଉଛି ଚିପ୍ ଆକାର ବୃଦ୍ଧି କରିବା | ବର୍ତ୍ତମାନ ସାଧାରଣ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଚିପ୍ସ ହେଉଛି 1 ମିମି × 1 ମିମି କିମ୍ବା ଅଧିକ, ଏବଂ ଅପରେଟିଂ କରେଣ୍ଟ ହେଉଛି 350mA ବ୍ୟବହାର କରେଣ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି ହେତୁ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ସମସ୍ୟା ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସମସ୍ୟା ପାଲଟିଛି | ବର୍ତ୍ତମାନ ଏହି ସମସ୍ୟାଟି ମୂଳତ chip ଚିପ୍ ଫ୍ଲିପ୍ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା ସମାଧାନ ହୋଇଛି | ଏଲଇଡି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ବିକାଶ ସହିତ ଆଲୋକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାର ପ୍ରୟୋଗ ଏକ ଅଦ୍ୱିତୀୟ ସୁଯୋଗ ଏବଂ ଆହ୍ face ାନର ସମ୍ମୁଖୀନ ହେବ |

ଫ୍ଲିପ୍ ଚିପ୍ କ’ଣ? ଏହାର ଗଠନ କ’ଣ? ଏହାର ସୁବିଧା କ’ଣ?

ବ୍ଲୁ ଏଲଇଡି ସାଧାରଣତ Al Al2O3 ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଗ୍ରହଣ କରେ | Al2O3 ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ଉଚ୍ଚ କଠିନତା ଏବଂ କମ୍ ତାପଜ ଚାଳନା ଅଛି | ଯଦି ଏହା ଆନୁଷ୍ଠାନିକ ସଂରଚନା ଗ୍ରହଣ କରେ, ଗୋଟିଏ ପଟେ ଏହା ଆଣ୍ଟି-ଷ୍ଟାଟିକ୍ ସମସ୍ୟା ଆଣିବ; ଅନ୍ୟ ପଟେ, ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ମଧ୍ୟ ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସମସ୍ୟା ହେବ | ଏଥି ସହିତ, ଆଗ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ଉପର ହୋଇଥିବାରୁ କିଛି ଆଲୋକ ଅବରୋଧ ହୋଇଯିବ ଏବଂ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ଦକ୍ଷତା ହ୍ରାସ ପାଇବ | ପାରମ୍ପାରିକ ପ୍ୟାକେଜିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଅପେକ୍ଷା ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ନୀଳ ଏଲଇଡି ଚିପ୍ ଫ୍ଲିପ୍ ଚିପ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ମାଧ୍ୟମରେ ଅଧିକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଆଲୋକ ଉତ୍ପାଦନ କରିପାରିବ |

ବର୍ତ୍ତମାନ, ମୁଖ୍ୟ ସ୍ରୋତ ଫ୍ଲିପ୍ ଚିପ୍ ସଂରଚନା ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି: ପ୍ରଥମେ, ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ୱେଲଡିଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ ସହିତ ଏକ ବଡ଼ ଆକାରର ନୀଳ ଏଲଇଡି ଚିପ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରନ୍ତୁ, ନୀଳ ଏଲଇଡି ଚିପ୍ ଠାରୁ ଟିକେ ବଡ଼ ଏକ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ଏକ ସୁନା କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ସ୍ତର ପ୍ରସ୍ତୁତ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ତାର ସ୍ତର ବାହାର କରନ୍ତୁ ( ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ସୁନା ତାର ବଲ ସୋଲଡର ଗଣ୍ଠି) ଏହା ଉପରେ ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ୱେଲଡିଂ ପାଇଁ | ତା’ପରେ, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ନୀଳ ଏଲଇଡି ଚିପ୍ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଇଉଟେକ୍ଟିକ୍ ୱେଲଡିଂ ଉପକରଣ ଦ୍ୱାରା ଏକତ୍ର eld ାଲାଯାଏ |

ଏହି ଗଠନର ବ istic ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେଉଛି ଏପିଟ୍ୟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସହିତ ସିଧାସଳଖ ଯୋଗାଯୋଗରେ ଅଛି, ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତୁଳନାରେ ବହୁତ କମ୍ ଅଟେ, ତେଣୁ ଉତ୍ତାପ ବିସ୍ତାର ସମସ୍ୟା ଭଲ ଭାବରେ ସମାଧାନ ହୋଇଯାଏ | କାରଣ ଫ୍ଲିପ୍ ମାଉଣ୍ଟିଂ ପରେ ନୀଳମଣି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଉପରକୁ ମୁହାଁଇଥାଏ, ଏହା ଏକ ହାଲୁକା ନିର୍ଗତ ପୃଷ୍ଠରେ ପରିଣତ ହୁଏ ଏବଂ ନୀଳମଣି ସ୍ୱଚ୍ଛ, ତେଣୁ ଆଲୋକ ନିର୍ଗତ ସମସ୍ୟା ମଧ୍ୟ ସମାଧାନ ହୁଏ | ଉପରୋକ୍ତ ହେଉଛି ଏଲଇଡି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ପ୍ରାସଙ୍ଗିକ ଜ୍ଞାନ | ମୁଁ ବିଶ୍ୱାସ କରେ ଯେ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ବ technology ଷୟିକ ଜ୍ଞାନର ବିକାଶ ସହିତ ଭବିଷ୍ୟତର ଏଲଇଡି ଲ୍ୟାମ୍ପଗୁଡ଼ିକ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ଦକ୍ଷ ହେବ ଏବଂ ସେବା ଜୀବନ ବହୁତ ଉନ୍ନତ ହେବ, ଯାହା ଆମକୁ ଅଧିକ ସୁବିଧା ଆଣିବ |